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2024-01-21 23:59
admin阈值电压的计算公式可以根据不同的设备类型和条件进行调整。在NMOS场效应晶体管中，阈值电压的表达式为：
\[ VT = VFB + Vox + \phi_s ]
其中，VT代表阈值电压，VFB是半导体平带电压，Vox则是栅氧化层上的压降，而ϕ_s是饱和迁移率。
然而，对于更为复杂的设备或情况，阈值电压的公式可能会包含更多的参数。例如，一个更完整的NMOS阈值电压公式可能包括产生电子反型层的电荷（Q_SD）在栅氧化层上引起的电压降。此外，阈值电压也可能取决于特定的器件特性，如场发射特性时，电流达到10mA时的电压就被称为阈值电压。
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